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电调衰减器芯片

频率:20-40GHz,损耗:4dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.4dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-3GHz,最大增益3.5dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-4GHz,最大增益3dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-4GHz,最大增益3.5dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-4GHz,最大增益3.5dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-5GHz,最大增益4dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-6GHz,最大增益3dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-8GHz,最大增益4dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:5-7.5GHz,最大增益3.5dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:5-7.5GHz,最大增益3.5dBm