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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:2-18GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
NC1669C-218
...

数控衰减器芯片

频率:0-9GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:25,最大衰减:25
NC1349C-109
...

数控衰减器芯片

频率:0-12GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:20,最大衰减:20
NC1362C-112
...

数控衰减器芯片

频率:1-18GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:10,最大衰减:10
NC1352C-118
...

数控衰减器芯片

频率:1-20GHz,损耗:0.7dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:1.75
NC13122C-120
...

数控衰减器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.72dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1.75
NC13111C-1218
...

电调衰减器芯片

频率:0-4GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:23
NC13103C-104
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电调衰减器芯片

频率:2-3GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:30
NC1372C-203
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1628C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16105C-112PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16105C-112PDM
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC16104C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
NC1648C-910
...

GaAs FET 开关芯片（正压控制）

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
NC16512C-0006
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:15-40GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
NC1666C-1540R
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:20ns
NC1671C-2040

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