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数控衰减器芯片

频率:32-36GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,步进:30,最大衰减:30
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
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均衡器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1.8dB,均衡量:2.5dB
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GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:60dB,
ISW-0018DT
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匹配式 SPST

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:48dB,
HGC113
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匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:1.7dB,隔离度:50dB,
HGC114
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匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:50dB,
HGC112
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全正电,匹配式 SPT

频率:0-4GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:40dB,
HGC1021
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单刀八掷

频率:0-4GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:40dB,
HGC1021LP4
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数控衰减器芯片

频率:0-18GHz,插入损耗:1.8dB,
HGC232
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数控衰减器芯片

频率:0.1-18GHz,插入损耗:1.8dB,
HGC212
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:45dB,
HG134KA-1
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GaAs FET开关

频率:0-45GHz,插入损耗:1.7dB,隔离度:50dB,
ISW-0045DT
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GaAs FET开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.7dB,隔离度:52dB,
ISW-00204T
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GaAs FET开关

频率:0-6GHz,插入损耗:1.85dB,隔离度:47dB,
ISW-00066T