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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:2-3.5GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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°两路功分器芯片

频率:2-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:17dB
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°三路功分器芯片

频率:2-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:19dB
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滤波器芯片

高通频率:1.7-5GHz,损耗:1.5dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

高通频率:2-6GHz,损耗:1.5dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:2-6GHz,损耗:0.6dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:2-6GHz,损耗:0.4dB,耦合度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:2-18GHz,损耗:1dB,耦合度:12dB,射频端口:键合金丝
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GaN 功率放大器载体

频率:2-4GHz,最大增益8.5dBm
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:2-6GHz,最大增益24dBm
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:2.3-2.8GHz,最大增益32dBm
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:2.6-3.2GHz,最大增益21dBm
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无引线封装低噪声放大器

频率:2-6GHz,最大增益24dBm
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无引线封装低噪声放大器

频率:2.5-7GHz,最大增益27dBm
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低噪声放大器模块

频率:2-4GHz,最大增益35dBm
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低噪声放大器模块

频率:2-6GHz,最大增益22dBm