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MEMS带通滤波器

频率:21.7-27GHz,中心频率插损:1.6dB
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低噪声放大器芯片

频率:19-26GHz,增益:29dBm,输出功率:12dBm,噪声:2.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:22-26GHz,增益:23dBm,输出功率:10dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:22-32GHz,增益:21dBm,输出功率:1dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:22-32GHz,增益:21dBm,输出功率:1dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:22-27GHz,增益:18dBm,输出功率:31dBm,射频端口:键合金丝
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:1.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:19-27GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:21-32GHz,LO/RF隔离度:38dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:20-36GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:9dB
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表面贴装QPSK、BPSK 调制器

频率:22-27GHz,最大增益13dBm
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低噪声放大器芯片

频率:22-32GHz,最大增益:25.5dB,噪声系数:2dB,输出功率:15dBm,3.5V,70mA
HG118FC-2
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隔离器

20-30GHz隔离器,2.92-K,隔离16,损耗1