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低噪声放大器芯片

频率:17-27GHz,增益:17dBm,输出功率:16dBm,噪声:3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:18-27GHz,增益:22dBm,输出功率:-2dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:18-27GHz,增益:22dBm,输出功率:-2dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:12-30GHz,增益:15.5dBm,输出功率:17.5dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:22-27GHz,增益:18dBm,输出功率:31dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:24.5-27GHz,增益:8dBm,输出功率:13dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:25-26.5GHz,增益:23dBm,输出功率:15dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:25-27GHz,增益:18dBm,输出功率:25dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:26-27GHz,增益:24dBm,输出功率:19dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:25-27GHz,损耗:8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控衰减器芯片

频率:18-30GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:24-28GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:24-30GHz,损耗:3.8dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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电调衰减器芯片

频率:18-30GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:25-27GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns