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功率放大器芯片

频率:2-3GHz,增益:15dBm,输出功率:28dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.1-2.7GHz,增益:29dBm,输出功率:31dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.1-2.7GHz,增益:23dBm,输出功率:33dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.7GHz,增益:17dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.7GHz,增益:12dBm,输出功率:24dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.9GHz,增益:22dBm,输出功率:29dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.7-3.5GHz,增益:27dBm,输出功率:41dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:2.7-3.5GHz,损耗:5.8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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电调衰减器芯片

频率:2-3GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:30
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:2-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:1-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:12dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:1-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:12dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:2-3.5GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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°两路功分器芯片

频率:1-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:14dB
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°三路功分器芯片

频率:0.8-2.7GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB