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MEMS带通滤波器

频率:21.7-27GHz,中心频率插损:1.6dB
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低噪声放大器芯片

频率:17-27GHz,增益:17dBm,输出功率:16dBm,噪声:3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:18-27GHz,增益:22dBm,输出功率:-2dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:18-27GHz,增益:22dBm,输出功率:-2dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:22-27GHz,增益:18dBm,输出功率:31dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:24.5-27GHz,增益:8dBm,输出功率:13dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:25-27GHz,增益:18dBm,输出功率:25dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:26-27GHz,增益:24dBm,输出功率:19dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:25-27GHz,损耗:8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:25-27GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:1.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:19-27GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:10dB
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QPSK调制器芯片

QPSK调制器,频率:25-27GHz,LO/RF隔离度:dB,变频损耗:dB
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低噪声放大器模块

频率:17-27GHz,最大增益14.5dBm