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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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MEMS带通滤波器

频率:25.2-31.2GHz,中心频率插损:0.5dB
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MEMS带通滤波器

频率:27.6-31.5GHz,中心频率插损:0.4dB
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MEMS带通滤波器

频率:27.1-31.2GHz,中心频率插损:1dB
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MMIC带通滤波器

频率:26-28.5GHz,中心频率插损:2.7dB
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MEMS带通滤波器

频率:25.6-31GHz,中心频率插损:0.8dB
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低噪声放大器芯片

频率:26-40GHz,增益:23dBm,输出功率:5dBm,噪声:3.4,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:28-33GHz,增益:13dBm,输出功率:2dBm,噪声:3.5,射频端口:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:25-40GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:7.5
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数控衰减器芯片

频率:25-40GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:7.75
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数控衰减器芯片

频率:26-32GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:26-40GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:26-34GHz,损耗:4dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:26-34GHz,损耗:4dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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电调衰减器芯片

频率:25-50GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns