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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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MMIC高通滤波器

频率:7-29GHz
BWHF-7G
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MMIC高通滤波器

频率:8-30GHz
BWHF-8G
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MMIC带通滤波器

频率:26-28.5GHz,中心频率插损:2.7dB
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功率放大器芯片

频率:12-30GHz,增益:15.5dBm,输出功率:17.5dBm,射频端口:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:18-30GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:24-30GHz,损耗:3.8dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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电调衰减器芯片

频率:18-30GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:15-30GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:15-30GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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衰减器芯片

频率:0-30GHz,衰减度:31.5dB
HG168S
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滤波器

23000-30000MHz带通滤波器,0-21900MHz≥40&31300-45000MHz≥40dB