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滤波器芯片

带通频率:34-36GHz,损耗:2.9dB,抑制度:31dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

带通频率:34-37GHz,损耗:2.8dB,抑制度:40dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-40GHz,损耗:1dB,耦合度:13-15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-40GHz,损耗:1dB,耦合度:13-15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.6dB,耦合度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.6dB,耦合度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.7dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.7dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:1dB,耦合度:10dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:1dB,耦合度:10dB,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器模块

频率:26-40GHz,最大增益20dBm
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数控衰减器模块

频率:34-36GHz,最大增益5.5dBm
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限幅器芯片

频率:29-32GHz,损耗:1,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:32-38GHz,损耗:0.8,限幅电平:17dB,|射频端口连接:键合金丝
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MEMS带通滤波器

频率:29.35-31.15GHz,中心频率插损:1.2dB
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低噪声放大器

频率:18-32GHz,最大增益:21dB,噪声系数:2.4dB,输出功率:10dBm,3V,52mA
HGC318