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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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隔离器

1.6-2.9GHz隔离器,SMA-K,损耗0.8,隔离15,功率10W
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耦合器

1000-6000MHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K,功率容量50W
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耦合器

1000-6000MHz定向耦合器,耦合度10dB,SMA-K,50W
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开关

1000-6000MHz单刀双掷开关,SMA-K
TSS537
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单片均衡器

频率:1-4GHz,插入损耗:1.2dBdB,接口:键合金丝,均衡量:2dB,
HG113J2