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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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均衡器芯片

频率:0.1-3GHz,损耗:0.7dB,均衡量:9.5dB
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单片均衡器

频率:2-6GHz,插入损耗:0.6dB,接口:键合金丝,均衡量:4dB,
HGC132-4
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单片均衡器

频率:0.5-6GHz,插入损耗:0.6dB,接口:键合金丝,均衡量:5dB,
HG114JD-06
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单片均衡器

频率:0.5-6GHz,插入损耗:0.6dB,接口:键合金丝,均衡量:6dB,
HG115JD-01
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电调均衡

频率:2-7GHz,插入损耗:0.7dB,接口:贴装焊接,均衡量:9.5dB,
SIE055SP3