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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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数控衰减器芯片

频率:18-30GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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电调衰减器芯片

频率:18-30GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:15-30GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:15-30GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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滤波器

18-30GHz高通滤波器,DC-15GHz≥45dB
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GaAs功率放大器芯片

频率:17-30GHz,最大增益:22.5dB,输出功率:16dBm,5V,81mA芯片尺寸:1.05*1.95*0.1
AMMA0008S