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电子开关 (6)
筛选项:
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
NC1677C-1830R
...

数控移相器芯片

频率:29-32GHz,损耗:11dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
A1.3.84NC1295C-2932
...

数控移相器芯片

频率:29-32GHz,损耗:11dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
A1.3.86NC1295C-2932PD
...

数控移相器芯片

频率:29-32GHz,损耗:11dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
A1.3.88NC1295C-2932SD.A
...

数控衰减器芯片

频率:18-30GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
NC1374C-1830
...

数控衰减器芯片

频率:26-32GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
NC1373C-2632
...

数控衰减器芯片

频率:24-30GHz,损耗:3.8dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC1395C-2430
...

数控衰减器芯片

频率:26-34GHz,损耗:4dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC1399C-2634
...

数控衰减器芯片

频率:26-34GHz,损耗:4dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC1399C-2634M
...

电调衰减器芯片

频率:18-30GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
NC1390C-1830
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns
NC16110C-1932
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC1610C-1830
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1611C-2030
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
NC1677C-1830
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:24-32GHz,损耗:0.7dB,隔离度:43dB,开关时间:20ns
NC1672C-2432
...

°两路功分器芯片

频率:26-31GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:20dB
NC6514C-2631U

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