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数控衰减器芯片

频率:34-36GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-40GHz,损耗:1.2dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:42dB,
ISW4B2
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:52dB,
ISW5
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:53dB,
ISW6
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:53dB,
ISW8