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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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射频开关

DC-40000MHz单刀八掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1K82440T
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射频开关

DC-40000MHz单刀八掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1K81240T
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开关

22-40GHz射频开关,单刀双掷,损耗3dB,隔离60dB,2.92-K