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MEMS带通滤波器

频率:2-3GHz,中心频率插损:2dB
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MEMS带通滤波器

频率:2-4GHz,中心频率插损:1.5dB
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功率放大器芯片

频率:2-3GHz,增益:15dBm,输出功率:28dBm,射频端口:键合金丝
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电调衰减器芯片

频率:2-3GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:30
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:2-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:2-3.5GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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°三路功分器芯片

频率:2-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:19dB
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GaN 功率放大器载体

频率:2-4GHz,最大增益8.5dBm
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低噪声放大器模块

频率:2-4GHz,最大增益35dBm
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GaAs 表面贴装/安装功率放大器

频率:2-3GHz,最大增益15dBm
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GaAs 表面贴装/安装功率放大器

频率:2-3GHz,最大增益28dBm
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表面贴装/安装电调衰减器

频率:2-3GHz,最大增益2.5dBm
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表面贴装I/Q 混频器

频率:2-3GHz,最大增益10dBm
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表面贴装QPSK、BPSK 调制器

频率:2-3GHz,最大增益7dBm
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GaAs低噪声放大器

频率:2-4GHz,最大增益:28dB,噪声系数:0.6dB,输出功率:10dBm,5V,30mA
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低噪声放大器芯片

频率:2-4GHz,最大增益:30dB,噪声系数:0.45dB,输出功率:11dBm,5V,28mA
HG113FC-2A