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数控移相器芯片

频率:4-7GHz,损耗:0.3dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
NC12110C-407
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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
NC1641C-104
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
NC1634C-104
...

GaAs FET 开关芯片（正压控制）

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
NC16511C-0006
...

GaAs FET 开关芯片（正压控制）

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
NC16512C-0006
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-7GHz，最大增益-dBm
NC3310S-107
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限幅器芯片

频率:1.5-4.5GHz,损耗:0.5,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
NC1824C-105
...

限幅器芯片

频率:2-6GHz,损耗:0.5,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
NC1807C-206
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均衡器芯片

频率:0.1-3GHz,损耗:0.7dB，均衡量：9.5dB
NC6017C-103
...

反射式 SPDT

频率:0-4GHz,插入损耗:0.45dB,隔离度:35dB,
HGC114-4
...

反射式 SPDT

频率:0-4GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:45dB,
HGC114-4D
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限幅器芯片

频率:1-6GHz,插入损耗:0.15dB,接口:键合金丝
HGC181-7A
...

限幅器芯片

频率:2-5GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,尺寸：1.8×1.2mm
HG124X7
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限幅器芯片

频率:2-6GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,尺寸：1.8×1.2mm
HG124X8
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限幅器芯片

频率:4-6.5GHz,插入损耗:0.5dB,接口:键合金丝,尺寸：2×1.5mm
HG124X4
...

限幅器芯片

频率:4-6.5GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,尺寸：2×1.5mm
HG124X3

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