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最小使用频率
(MHz)
9000~21700
(20)
22000~27100
(25)
27600~30500
(28)
31000~33100
(10)
33193~34750
(11)
-
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最大使用频率
(MHz)
30500~31300
(22)
31500~33200
(49)
33207~34250
(12)
34500~35250
(9)
35360~35400
(2)
-
筛选
特性
带通
(44)
高通
(3)
中心频率
(MHz)
1~29.15
(10)
29.45~32.85
(9)
34.1~29930
(10)
30000~32900
(10)
33200~36200
(9)
-
筛选
带宽
(MHz)
0.7~1.4
(4)
1.6~2
(6)
2.5~3.7
(5)
3.9~6
(4)
13.6~23
(4)
-
筛选
中心频率插损
(dB)
0.1~0.5
(3)
0.6~1
(19)
1.2~2
(15)
2.5~3
(3)
15~18
(3)
-
筛选
边频最大损耗
(dB)
1~1.3
(2)
1.5~1.7
(8)
2~2.5
(12)
3~3.5
(5)
4~4
(1)
-
筛选
接口形式
微带针
(11)
SMA
(2)
2.92
(17)
波导口
(5)
滤波器类别
腔体波导
(22)
微带线
(2)
LC
(1)
类别
低噪声放大
(12)
功率放大
(3)
单片移相器
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集成数控衰减器
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(1)
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单片功分器
(1)
驱动放大
(1)
类别二
微波单片放大类
(16)
无源
(4)
微波单片控制类
(1)
极化方式
线极化
(4)
最大增益
(dB)
13~14
(3)
14.5~15
(3)
19.5~21
(5)
22~25.5
(2)
26~27
(3)
-
筛选
输出功率
(dBm)
1~4
(4)
6~8
(4)
10~13
(3)
14~23
(3)
24~24
(2)
-
筛选
耦合度
(dB)
10
(1)
-
筛选
插入损耗
(dB)
0.7~0.8
(3)
1~1.2
(2)
1.6~3
(2)
4~8
(3)
9.5~11
(4)
-
筛选
隔离度
(dB)
15~16
(2)
18~20
(2)
22~42
(2)
43~43
(1)
-
筛选
相位
0º
(1)
噪声系数
(dB)
1.9~2
(6)
2.1~2.2
(2)
2.3~2.4
(2)
3.5~3.8
(2)
-
筛选
抑制度
(dB)
40~45
(5)
50~55
(5)
60~62
(6)
65~70
(6)
75~80
(5)
-
筛选
功率容量
(W)
1~2
(13)
5~10
(14)
15~20
(12)
30~50
(2)
-
筛选
步进
(d)
0.5
(3)
天线增益(Typ.)
(dBi)
10
(1)
15
(1)
20
(1)
25
(1)
-
筛选
限幅电平
(dBm)
18
(1)
-
筛选
插入损耗(不含分配损耗)
(dB)
0.6
(1)
1.5
(1)
0.3
(1)
-
筛选
分配路数
(路)
2
(2)
4
(2)
-
筛选
位数
6
(3)
LO/RF隔离度
(dB)
30
(2)
22
(1)
38
(1)
33
(1)
-
筛选
变频损耗
(dB)
10.8
(2)
10
(2)
8
(1)
-
筛选
开关时间
(ns)
10
(1)
20
(1)
-
筛选
开关结构
电子开关
(2)
最大衰减
(dB)
15.5
(1)
31.5
(2)
-
筛选
工作电压
(V)
5
(12)
3
(1)
3.3
(2)
3.5
(1)
-
筛选
工作电流
(mA)
0.1~19
(6)
20~31
(3)
50~55
(3)
65~115
(3)
120~120
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-
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芯片滤波器类别
MEMS滤波器
(16)
MMIC滤波器
(4)
带宽类别
1dB带宽
(16)
传统滤波器类别
微带/悬置带线
(3)
筛选项:
30500~35400
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功率放大器芯片
频率:28.5-31.5GHz,增益:15dBm,输出功率:14dBm,射频端口:键合金丝
型号:
NC11241C-2831
功率放大器芯片
频率:28.5-31.5GHz,增益:22dBm,输出功率:24dBm,射频端口:键合金丝
型号:
NC11265C-2931
数控移相器芯片
频率:29-32GHz,损耗:11dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
型号:
A1.3.84NC1295C-2932
数控移相器芯片
频率:29-32GHz,损耗:11dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
型号:
A1.3.86NC1295C-2932PD
数控移相器芯片
频率:29-32GHz,损耗:11dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
型号:
A1.3.88NC1295C-2932SD.A
数控衰减器芯片
频率:26-32GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
型号:
NC1373C-2632
数控衰减器芯片
频率:26-34GHz,损耗:4dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
型号:
NC1399C-2634
数控衰减器芯片
频率:26-34GHz,损耗:4dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
型号:
NC1399C-2634M
数控移相衰减集成芯片
频率:29-32GHz
型号:
NC1557C-2932SD/A
数控移相衰减集成芯片
频率:29-32GHz
型号:
NC15210C-2932SD
数控移相衰减集成芯片
频率:29-32GHz
型号:
NC15210C-2932SDM
数控移相衰减集成芯片
频率:29-32GHz
型号:
NC1558C-2932SD
GaAs FET 开关芯片（负压控制)
单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns
型号:
NC16110C-1932
GaAs PIN 开关芯片
单刀双掷,频率:24-32GHz,损耗:0.7dB,隔离度:43dB,开关时间:20ns
型号:
NC1672C-2432
无源双平衡混频器芯片
单片混频器,频率:14-34GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:10.8dB
型号:
NC17107C-1434
无源双平衡混频器芯片
单片混频器,频率:14-34GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:10.8dB
型号:
NC17107C-1434M
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