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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:14-34GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:10.8dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:14-34GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:10.8dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:14-37GHz,LO/RF隔离度:35dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:17-40GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:10.8dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:18-32GHz,LO/RF隔离度:22dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:21-32GHz,LO/RF隔离度:38dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:24-40GHz,LO/RF隔离度:40dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:24-40GHz,LO/RF隔离度:40dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:24-40GHz,LO/RF隔离度:32dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:20-36GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:9dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:26-38GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:9dB
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°两路功分器芯片

频率:26-31GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:20dB
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°两路功分器芯片

频率:34-36GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:17dB