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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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数控衰减器芯片

频率:34-36GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-40GHz,损耗:1.2dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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射频开关

DC-40000MHz单刀六掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1K62440T
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射频开关

DC-40000MHz单刀六掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1K61240T
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射频开关

DC-40000MHz单刀四掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1K42440T
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射频开关

DC-40000MHz单刀四掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1K41240T
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射频开关

DC-40000MHz单刀三掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1K32440T
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射频开关

DC-40000MHz单刀三掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1K31240T
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射频开关

DC-40000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1K22440T
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单片均衡器

频率:18-40GHz,插入损耗:1.4dB,接口:键合金丝,均衡量:2dB,
HGC136-2
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单片均衡器

频率:18-40GHz,插入损耗:1.3dB,接口:键合金丝,均衡量:4dB,
HGC136-4
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单片均衡器

频率:18-40GHz,插入损耗:1.4dB,接口:键合金丝,均衡量:6dB,
HGC136-6