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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:18-32GHz,LO/RF隔离度:22dB,变频损耗:10dB
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低噪声放大器

频率:18-32GHz,最大增益:21dB,噪声系数:2.4dB,输出功率:10dBm,3V,52mA
HGC318
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GaAs低噪声放大器

频率:18-32GHz,最大增益:14dB,噪声系数:2dB,输出功率:6dBm,3.3V,30mA
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低噪声放大器

频率:18-32GHz,最大增益:15dB,噪声系数:2.3dB,输出功率:7dBm,5V,31mA
HGC311
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低噪声放大器

频率:18-32GHz,最大增益:26dB,噪声系数:2.2dB,输出功率:13dBm,5V,55mA
HGC312
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GaAs低噪声放大器

频率:18-32GHz,最大增益:19.5dB,噪声系数:2dB,输出功率:10.5dBm,3.3V,65mA
ILA-1832B
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混频器

频率:18-32GHz,隔离度:33dB
IMX-1832