-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
...

GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:33-37GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:24-32GHz,损耗:0.7dB,隔离度:43dB,开关时间:20ns
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:24dB,开关时间:20ns
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
...

无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:14-34GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:10.8dB
...

无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:14-34GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:10.8dB
...

无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:14-37GHz,LO/RF隔离度:35dB,变频损耗:10dB
...

无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:18-32GHz,LO/RF隔离度:22dB,变频损耗:10dB
...

无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:21-32GHz,LO/RF隔离度:38dB,变频损耗:10dB