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数控衰减器芯片

频率:20-40GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:30
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数控衰减器芯片

频率:20-40GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:35
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电调衰减器芯片

频率:20-40GHz,损耗:4dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:20-40GHz,损耗:0.9dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:24-32GHz,损耗:0.7dB,隔离度:43dB,开关时间:20ns
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°三路功分器芯片

频率:20-40GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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GaAs FET开关

频率:20-40GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:53dB,
ISW-2040DT