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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:55dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50dB,开关时间:20ns
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0.5-4GHz,最大增益1.2dBm
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单刀六掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:50dB,
HGC1013LP4
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单片均衡器

频率:1-4GHz,插入损耗:1.2dBdB,接口:键合金丝,均衡量:2dB,
HG113J2