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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
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耦合器

4500-5100MHz耦合器,耦合度30dB,SMA-K
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单片均衡器

频率:2-6GHz,插入损耗:0.6dB,接口:键合金丝,均衡量:4dB,
HGC132-4
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单片均衡器

频率:0.5-6GHz,插入损耗:0.6dB,接口:键合金丝,均衡量:5dB,
HG114JD-06
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单片均衡器

频率:0.5-6GHz,插入损耗:0.6dB,接口:键合金丝,均衡量:6dB,
HG115JD-01
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一位dB数控衰减

频率:0-6GHz,插入损耗:0.7dB,步进:31dBm,
SIAT034