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GaAs FET 开关芯片（正压控制）

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
NC16512C-0006
...

射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关，工作电压12V,开关时间15ms
1N21212
...

射频开关

DC-12000MHz双刀双掷机电开关，工作电压24V,开关时间15ms
L2N22412
...

单片均衡器

频率:0-12GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,均衡量:9dB,
HG115JH-1
...

射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关，TTL控制，工作电压12V,开关时间15ms
1N21212T
...

射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关，TTL控制，工作电压24V,开关时间15ms
1N22412T
...

射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关，TTL控制，工作电压28V,开关时间15ms
1N22812T
...

射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关，工作电压24V,开关时间15ms
1N22412
...

射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关，工作电压28V,开关时间15ms
1N22812
...

单片均衡器

频率:1-18GHz,插入损耗:0.7dB,接口:键合金丝,均衡量:6dB,
HGC131-6
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限幅器芯片

频率:8.5-11.5GHz,插入损耗:0.7dB,接口:键合金丝,尺寸：1.7×1.4mm
HG125X3
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电调均衡

频率:2-7GHz,插入损耗:0.7dB,接口:贴装焊接,均衡量:9.5dB,
SIE055SP3
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一位dB数控衰减

频率:0-6GHz,插入损耗:0.7dB,步进:31dBm,
SIAT034

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