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MEMS带通滤波器

频率:2-4GHz,中心频率插损:1.5dB
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MMIC延时线

频率:0.8-4GHz,中心频率插损:14dB
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1-4GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1-4GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:10dB
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°两路功分器芯片

频率:0.8-4GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.1dB,隔离度:14dB
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GaN 功率放大器载体

频率:2-4GHz,最大增益8.5dBm
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无引线封装低噪声放大器

频率:1-4GHz,最大增益15dBm
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低噪声放大器模块

频率:2-4GHz,最大增益35dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0.5-4GHz,最大增益1dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0.5-4GHz,最大增益1.2dBm
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表面贴装无源双平衡混频器

频率:1-4GHz,最大增益11dBm
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GaAs低噪声放大器

频率:2-4GHz,最大增益:28dB,噪声系数:0.6dB,输出功率:10dBm,5V,30mA
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低噪声放大器芯片

频率:2-4GHz,最大增益:30dB,噪声系数:0.45dB,输出功率:11dBm,5V,28mA
HG113FC-2A
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双向放大器芯片

频率:1.5-4GHz,最大增益:13.5dB,噪声系数:2.9dB,,5V,67mA
HG113F1