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MEMS带通滤波器

频率:2-4GHz,中心频率插损:1.5dB
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MEMS带通滤波器

频率:3-4GHz,中心频率插损:2.5dB
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MMIC低通滤波器

频率:0-4GHz
BWLF-4
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MMIC低通滤波器

频率:0-4GHz
BWLF-4G
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MMIC均衡低通

频率:0-4GHz,中心频率插损:2.7dB
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MMIC延时线

频率:0.8-4GHz,中心频率插损:14dB
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低噪声放大器芯片

频率:2.2-4GHz,增益:32dBm,输出功率:20dBm,噪声:1.2,射频端口:键合金丝
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电调衰减器芯片

频率:0-4GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:23
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1-4GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1-4GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:10dB