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数控衰减器芯片

频率:0-40GHz,损耗:7.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:32-40GHz,损耗:4.3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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电调衰减器芯片

频率:20-40GHz,损耗:4dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-40GHz,损耗:1.2dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:15-40GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:20-40GHz,损耗:0.9dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:17-40GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:10.8dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:24-40GHz,LO/RF隔离度:40dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:24-40GHz,LO/RF隔离度:40dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:24-40GHz,LO/RF隔离度:32dB,变频损耗:10dB
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°三路功分器芯片

频率:20-40GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB