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MEMS带通滤波器

频率:2-4GHz,中心频率插损:1.5dB
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MMIC巴伦

频率:1.8-4.5GHz,中心频率插损:5dB
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MMIC延时线

频率:0.8-4GHz,中心频率插损:14dB
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低噪声放大器芯片

频率:2-4.5GHz,增益:32dBm,输出功率:8dBm,噪声:1.3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:13dBm,输出功率:17dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:13dBm,输出功率:17dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:25dBm,输出功率:16dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:25dBm,输出功率:16dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:17dBm,输出功率:45dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:2-6GHz,损耗:11dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1-4GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1-4GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:10dB