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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-5GHz,损耗:2dB,隔离度:65dB,开关时间:50ns
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-4GHz,最大增益3dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-4GHz,最大增益3.5dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-4GHz,最大增益3.5dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-6GHz,最大增益3dBm
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无引线封装数控衰减器

频率:0-6GHz,最大增益2.8dBm
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全正电,匹配式 SPT

频率:0-4GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:40dB,
HGC1021
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单刀八掷

频率:0-4GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:40dB,
HGC1021LP4
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GaAs FET开关

频率:0-6GHz,插入损耗:1.85dB,隔离度:47dB,
ISW-00066T