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电调衰减器芯片

频率:0-4GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:23
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:55dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0.5-4GHz,最大增益1dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0.5-4GHz,最大增益1.2dBm
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耦合器

1000-6000MHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K,功率容量50W
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耦合器

1000-6000MHz定向耦合器,耦合度10dB,SMA-K,50W
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耦合器

2000-4000MHz耦合器,20dB,SMA-K
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双工器

双工器频率4650-4850&5000-5300MHz,微带针接口
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耦合器

2000-4000MHz耦合器,30dB,SMA-K
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耦合器

5000-5350MHz耦合器,45dB,N-K
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匹配式 SPDT

频率:0-5GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
HGC114-5D
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC1001LP4
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单刀双掷

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:60dB,
HGC1002LP4