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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
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隔离器

4-8GHz隔离器,SMA-K,隔离18,损耗0.6
YG400-1
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耦合器

4500-5100MHz耦合器,耦合度30dB,SMA-K
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耦合器

4000-8000MHz耦合器,耦合度30dB,SMA-K
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双工器

双工器频率7238-7246&8144-8164MHz
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耦合器

2000-4000MHz耦合器,30dB,SMA-K
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单片均衡器

频率:2-6GHz,插入损耗:0.6dB,接口:键合金丝,均衡量:4dB,
HGC132-4
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反射式 SPDT

频率:0-8GHz,插入损耗:0.65dB,隔离度:35dB,
HGC114-8
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单刀双掷

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:60dB,
HGC1002LP4
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单刀双掷

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:50dB,
HGC1005LP4
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:40dB,
HGC1019LP4
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单片均衡器

频率:0.5-6GHz,插入损耗:0.6dB,接口:键合金丝,均衡量:5dB,
HG114JD-06