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低噪声放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:25dBm,输出功率:16dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:25dBm,输出功率:16dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:2.5-4.5GHz,增益:24dBm,输出功率:10dBm,噪声:1.3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:2.5-7GHz,增益:28dBm,输出功率:7dBm,噪声:1.1,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:2.5-7GHz,增益:28dBm,输出功率:7dBm,噪声:1.1,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-4.3GHz,增益:25dBm,输出功率:30dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.8-4.4GHz,增益:19dBm,输出功率:37dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:3-5GHz,增益:25dBm,输出功率:28dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:3-5.3GHz,增益:23dBm,输出功率:23dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:17dBm,输出功率:45dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2-6.5GHz,增益:23dBm,输出功率:43dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:2-6GHz,损耗:11dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1.5-4.5GHz,LO/RF隔离度:31dB,变频损耗:8.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1.5-4.5GHz,LO/RF隔离度:31dB,变频损耗:8.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1.8-5GHz,LO/RF隔离度:26dB,变频损耗:9dB