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数控移相器芯片

频率:4-7GHz,损耗:0.3dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-7GHz,最大增益-dBm
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限幅器芯片

频率:1.5-4.5GHz,损耗:0.5,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:2-6GHz,损耗:0.5,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:1-6GHz,插入损耗:0.15dB,接口:键合金丝
HGC181-7A
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限幅器芯片

频率:2-5GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,尺寸:1.8×1.2mm
HG124X7
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限幅器芯片

频率:2-6GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,尺寸:1.8×1.2mm
HG124X8
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限幅器芯片

频率:4-6.5GHz,插入损耗:0.5dB,接口:键合金丝,尺寸:2×1.5mm
HG124X4
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限幅器芯片

频率:4-6.5GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,尺寸:2×1.5mm
HG124X3
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GaAs限幅器

频率:0-6GHz,插入损耗:0.1dB,接口:键合金丝
ILM-0006D
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GaAs限幅器

频率:1-6GHz,插入损耗:0.3dB,接口:键合金丝
ILM-0106A
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电调均衡

频率:2-7GHz,插入损耗:0.7dB,接口:贴装焊接,均衡量:9.5dB,
SIE055SP3