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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
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电调均衡

频率:2-7GHz,插入损耗:0.7dB,接口:贴装焊接,均衡量:9.5dB,
SIE055SP3
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一位dB数控衰减

频率:0-6GHz,插入损耗:0.7dB,步进:31dBm,
SIAT034