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数控衰减器芯片

频率:2-8GHz,损耗:3.2dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:2-8GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1.5-4.5GHz,LO/RF隔离度:31dB,变频损耗:8.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1.5-4.5GHz,LO/RF隔离度:31dB,变频损耗:8.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1.8-5GHz,LO/RF隔离度:26dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1.8-5GHz,LO/RF隔离度:26dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:2-6.5GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:2-6GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:2-6GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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°两路功分器芯片

频率:2-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:17dB
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滤波器芯片

高通频率:1.7-5GHz,损耗:1.5dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

高通频率:2-6GHz,损耗:1.5dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:2-6GHz,损耗:0.6dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:2-6GHz,损耗:0.4dB,耦合度:20dB,射频端口:键合金丝
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:1-7GHz,最大增益22dBm