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固定衰减器芯片

频率:0-67GHz,衰减度:25dB,射频端口:键合金丝
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固定衰减器芯片

频率:0-67GHz,衰减度:30dB,射频端口:键合金丝
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固定衰减器芯片

频率:0-67GHz,衰减度:40dB,射频端口:键合金丝
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:45-65GHz,损耗:0.6dB,隔离度:25dB,开关时间:50ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:18-50GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:11dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:18-50GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:11dB
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°两路功分器芯片

频率:40-50GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:18dB
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.6dB,耦合度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.6dB,耦合度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.7dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:0.7dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:1dB,耦合度:10dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:18-50GHz,损耗:1dB,耦合度:10dB,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器

22-50GHz低噪声放大器,增益40,噪声系数6,功率12dBm,2.4-K
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低噪声放大器

18-50GHz底噪声放大器,增益45,噪声系数3,功率12dBm,2.4-K