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数控移相器芯片

频率:4-7GHz,损耗:0.3dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
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限幅器芯片

频率:1-8GHz,损耗:0.35,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:2-6GHz,损耗:0.5,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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反射式 SPDT

频率:0-8GHz,插入损耗:0.65dB,隔离度:35dB,
HGC114-8
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单刀双掷

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:60dB,
HGC1002LP4
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单刀双掷

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:50dB,
HGC1005LP4
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:40dB,
HGC1019LP4
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限幅器芯片

频率:0.38-8GHz,插入损耗:0.2dB,接口:键合金丝,尺寸:1.03×0.6mm
HG124X2
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限幅器芯片

频率:2-5GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,尺寸:1.8×1.2mm
HG124X7
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限幅器芯片

频率:2-6GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,尺寸:1.8×1.2mm
HG124X8
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限幅器芯片

频率:4-6.5GHz,插入损耗:0.5dB,接口:键合金丝,尺寸:2×1.5mm
HG124X4