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GaAs 内匹配功率管

频率:1.057GHz-1.077GHz,增益15dBm,输出功率:36dBm,射频端口:贴装焊接
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CS0406-10
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益14dBm,输出功率:15W,射频端口:贴装焊接
CS0406-15
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益15.2dBm,输出功率:200W,射频端口:贴装焊接
CS0406-200
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益17dBm,输出功率:350W,射频端口:贴装焊接
CS0406-350
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:470GHz-610GHz,增益15.8dBm,输出功率:420W,射频端口:贴装焊接
CS0406-420
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:410GHz-510GHz,增益16.5dBm,输出功率:490W,射频端口:贴装焊接
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低噪声放大器模块

频率:0.1-1GHz,最大增益25dBm
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低噪声放大器模块

频率:0.7-1GHz,最大增益17dBm
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低噪声放大器芯片

频率:0.02-0.6GHz,最大增益:23dB,噪声系数:0.7dB,输出功率:19dBm,5V,80mA
HG511F
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低噪声放大器

830-850MHz低噪声放大器,增益12,噪声系数1,P-1功率37dBm,SMA-K
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低噪声放大器

9KHz-1000MHz高增益放大器,增益50dB,接口N-K,220V供电
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低噪声放大器芯片

频率:0.03-0.6GHz,最大增益:32dB,噪声系数:0.6dB,输出功率:23dBm,5V,95mA
HG111FG-1
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增益放大器

频率:0.05-0.5GHz,最大增益:22dB,噪声系数:4.2dB,输出功率:20dBm,60mA
IGB-020A
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功率放大器

频率:869-894MHz,增益:50dB,输出功率:47dBm,30V,8000mA
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功率放大器

频率:925-960MHz,增益:50dB,输出功率:47dBm,30V,8000mA