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功率放大器芯片

频率:1-1.6GHz,增益:31dBm,输出功率:29dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:0.9-1.4GHz,增益:29dBm,输出功率:45dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:0.96-1.26GHz,增益:26dBm,输出功率:47dBm,射频端口:键合金丝
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预匹配功率管

频率:0.9GHz-2GHz,增益10dBm,输出功率:48dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:0.9GHz-1.2GHz,增益16dBm,输出功率:51dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:1GHz-2GHz,增益11dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:0.9-2GHz,最大增益12dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:0.8-2GHz,最大增益9dBm
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:0.9-1.5GHz,最大增益40dBm
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:1-2GHz,最大增益18dBm
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:1-2GHz,最大增益27dBm
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GaAs 表面贴装/安装功率放大器

频率:1-2GHz,最大增益25dBm
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低噪声放大器芯片

频率:0.9-1.5GHz,最大增益:32dB,噪声系数:0.5dB,输出功率:15dBm,5V,45mA
HG112F-1
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低噪声放大器

830-850MHz低噪声放大器,增益12,噪声系数1,P-1功率37dBm,SMA-K
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低噪声放大器芯片

频率:0.8-2.5GHz,最大增益:35dB,噪声系数:0.5dB,输出功率:18.5dBm,5V,58mA
HG112F7
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低噪声放大器芯片

频率:0.8-2.5GHz,最大增益:35dB,噪声系数:0.5dB,输出功率:18.5dBm,5V,58mA
HG112F7M