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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CS0406-10
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益14dBm,输出功率:15W,射频端口:贴装焊接
CS0406-15
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益15.2dBm,输出功率:200W,射频端口:贴装焊接
CS0406-200
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益17dBm,输出功率:350W,射频端口:贴装焊接
CS0406-350
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:410GHz-510GHz,增益16.5dBm,输出功率:490W,射频端口:贴装焊接
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低噪声放大器芯片

频率:0.02-0.6GHz,最大增益:23dB,噪声系数:0.7dB,输出功率:19dBm,5V,80mA
HG511F
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低噪声放大器芯片

频率:0.03-0.6GHz,最大增益:32dB,噪声系数:0.6dB,输出功率:23dBm,5V,95mA
HG111FG-1