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数控衰减器芯片

频率:0.5-8.5GHz,损耗:2.5dB,射频端口:键合金丝,步进:3,最大衰减:21
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数控衰减器芯片

频率:2-8GHz,损耗:3.2dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:2-8GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0.5-12GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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无引线封装数控移相/延时器

频率:4.4-6GHz,最大增益7.5dBm
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表面贴装/安装电调衰减器

频率:3.5-7.4GHz,最大增益2.2dBm
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无引线封装数控衰减器

频率:2-8GHz,最大增益4.5dBm
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数控衰减器模块

频率:0.1-8GHz,最大增益6dBm
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数控衰减器模块

频率:1-8GHz,最大增益7dBm
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均衡器芯片

频率:2-12GHz,损耗:0.94dB,均衡量:2.4dB