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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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耦合器

4000-8000MHz耦合器,耦合度30dB,SMA-K
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双工器

双工器频率7238-7246&8144-8164MHz
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全正电,匹配式 SPDT

频率:0.1-8GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC117
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC1001LP4
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单刀双掷

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:60dB,
HGC1002LP4
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC1004LP4
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单刀双掷

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:50dB,
HGC1005LP4
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:40dB,
HGC1019LP4
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开关芯片

频率:0-8GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:55dB,
HG123KF-1A
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开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:21dB,
HG124K2
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GaAs FET开关

频率:0-8GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:47dB,
ISW-0008DT