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数控移相器芯片

频率:5-6GHz,损耗:6dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3.9-6.2GHz,LO/RF隔离度:18dB,变频损耗:10dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:5-6GHz,LO/RF隔离度:14dB,变频损耗:dB
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°三路功分器芯片

频率:3.5-6.5GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:14dB
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内匹配功率管

频率:5GHz-6GHz,增益9dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:5.3GHz-5.9GHz,增益12dBm,输出功率:52dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:5.3GHz-5.9GHz,增益11dBm,输出功率:54dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:5.9GHz-6.7GHz,增益8.5dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:5-6GHz,最大增益19.5dBm
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:6GHz-6GHz,增益8.5dBm,输出功率:28.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC41121S-6
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GaAs 内匹配功率管

频率:5.2GHz-5.8GHz,增益10dBm,输出功率:36dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:5.2GHz-5.8GHz,增益10dBm,输出功率:39dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:5.2GHz-5.8GHz,增益10dBm,输出功率:44dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:5.5GHz-6GHz,增益10dBm,输出功率:45dBm,射频端口:贴装焊接