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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
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限幅器芯片

频率:2-6GHz,损耗:0.5,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:2-6GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝,尺寸:1.8×1.2mm
HG124X8
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GaAs限幅器

频率:0-6GHz,插入损耗:0.1dB,接口:键合金丝
ILM-0006D
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GaAs限幅器

频率:1-6GHz,插入损耗:0.3dB,接口:键合金丝
ILM-0106A