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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:4-6GHz,最大增益24dBm
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MEMS带通滤波器

频率:3.5-6GHz,中心频率插损:1.6dB
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MEMS带通滤波器

频率:4-6GHz,中心频率插损:1.3dB
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MEMS带通滤波器

频率:4-6GHz,中心频率插损:1.5dB
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低噪声放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:13dBm,输出功率:17dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:13dBm,输出功率:17dBm,噪声:2,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:25dBm,输出功率:16dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:25dBm,输出功率:16dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2-6GHz,增益:17dBm,输出功率:45dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:2-6GHz,损耗:11dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:2-6GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:2-6GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:3-6GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:3-6GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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°电桥芯片

频率:3-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:18dB