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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
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限幅器芯片

频率:2-6GHz,损耗:0.5,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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耦合器

2-6GHz耦合器,40dB,400W,输入TNC-J,输出N-K
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单片均衡器

频率:2-6GHz,插入损耗:0.6dB,接口:键合金丝,均衡量:4dB,
HGC132-4
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单片均衡器

频率:0.5-6GHz,插入损耗:0.6dB,接口:键合金丝,均衡量:5dB,
HG114JD-06
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单片均衡器

频率:0.5-6GHz,插入损耗:0.6dB,接口:键合金丝,均衡量:6dB,
HG115JD-01
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单片均衡器

频率:2-6GHz,插入损耗:0.5dB,接口:键合金丝,均衡量:3dB,
IEQ-02063
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单片均衡器

频率:2-6GHz,插入损耗:0.5dB,接口:键合金丝,均衡量:6dB,
IEQ-02066